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高效地利用单个说明的性能为录像编码的多重数据(SIMD ) 体系结构，有 power-of-two 存储器模块的并联存储器体系结构被建议。扭曲计划在水平、垂直的方向提供没有冲突的存取给邻近的元素(８位和 16 位数据类型) 或与 power-of-two 间隔采用二篇小说，它不在以前的并联存储器体系结构是可能的。区域消费和延期评价与 4， 8 和 16 个记忆模块分别地被给。在一种 0.18-μm 互补金属氧化物半导体技术下面，当读了并且写潜伏时，合成结果证明建议系统能以 19k 门的成