后退火温度对脉冲激光沉积法在MgO(100)单晶基底上制造的Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+)薄膜成长机制影响

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土耳其Cukurova大学物理系O.Nane等人对脉冲激光沉积法在MgO(100)基底上沉积的Bi2Sr2Ca1Cu2O8+σ薄膜后退火效应进行了研究,借助X-射线衍射、扫描电镜、电阻率与温度依从性及直流磁化测量等方法测定了薄膜的结构和超导性能。在600℃沉积的薄膜,在Ar(93%)和O2(7%)混合气氛下进行后退火,温度范围为800~880℃。研究结果表明,后续退火导 The effect of pulse laser deposition on the Bi2Sr2Ca1Cu2O8 + σ thin films deposited on the MgO (100) substrate was investigated by O. Nane et al. Department of Physics, University of Cukurova, Turkey. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, resistivity and temperature dependence And DC magnetization measurement method to determine the film structure and superconductivity. The films deposited at 600 ° C were post-annealed in a mixed atmosphere of Ar (93%) and O2 (7%) at a temperature in the range of 800 to 880 ° C. The results show that the follow-up annealing guide
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