高阻探测器级硅单晶

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高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶硅的纯度,高阻硅单晶的制备技术及高纯工艺、高阻硅单晶电学参数的测量等几方面进行了研究。几年来,陆续向国内有关单位提供了小批量p型、电阻率高于2×10~4Ω·cm的硅单晶。现已研制出一批p型电阻率高于4×10~4Ω·cm的硅单晶。 High-impedance detector grade silicon single crystal is the indispensable raw material for preparing special devices such as nuclear radiation detectors, and is the most advanced variety in silicon single crystal. Its high purity, preparation is very difficult. We study the purity of polysilicon, high-resistance silicon single crystal preparation technology and high-purity technology, high-resistance silicon single crystal electrical parameters measurement and so on. In recent years, one after another to the relevant domestic units to provide small quantities of p-type, resistivity higher than 2 × 10 ~ 4Ω · cm of silicon single crystal. Has been developed a number of p-type resistivity higher than 4 × 10 ~ 4Ω · cm silicon single crystal.
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