一种CMOS、双极、低/高压接口集成兼容工艺

• 作 者: 陈德英 庄庆德 童勤义 唐国洪
• 机 构: 南京工学院电子所,南京工学院电子所,南京工学院电子所,南京工学院电子所
• 出 处: 电子器件
• 发表日期: 1984年04期
• 关键词: 双极晶体管 接口集成 基区 硅栅 跨导 接口电路 双极型 击穿电压 漂移区 阈值电压

一、引言 随着大规模集成电路的飞速发展,对于在一个芯片上同时集成多种功能的兼容技术愈来愈感兴趣。能将具有低的功耗,高的抗干扰能力的CMOS和具有高跨导、低1/f噪声的双极晶体管及低/高压MOS接口电路灵活地集成在一起,可以使系统单片集成提供一种新的可能。我们的实验中选用N阱等平面硅栅CMOS工艺为基础的一种CMOS、双极、低/高压接口集成兼容工艺。

I. INTRODUCTION With the rapid development of large scale integrated circuits, there is increasing interest in compatible technologies that integrate multiple functions simultaneously on a single chip. The ability to combine CMOS with low power consumption and high immunity to interference with bipolar transistors with high transconductance and low 1 / f noise and low / high voltage MOS interface circuits allows for monolithic integration of the system A new possibility. In our experiment, a CMOS, bipolar, low / high voltage interface integrated compatible process based on planar silicon gate CMOS process such as N-well is selected.