【摘 要】
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日本日新电子公司用离子注入和真空沉积(IVD)方法在衬底和镀金属的陶瓷表面上生长氮化铝薄膜。这种具有一定电气及介电性质的氮化铝薄膜与烧结的氮化铝相似,其透明度比烧结
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日本日新电子公司用离子注入和真空沉积(IVD)方法在衬底和镀金属的陶瓷表面上生长氮化铝薄膜。这种具有一定电气及介电性质的氮化铝薄膜与烧结的氮化铝相似,其透明度比烧结氮化铝提高约
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