【摘 要】
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科学院半导体研究所利用国产的分子束外延(MBE)设备,继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后,新近,又研制出高迁移率的选择掺杂AlGaAs/GaAs异质结,并对这种异质结
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科学院半导体研究所利用国产的分子束外延(MBE)设备,继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后,新近,又研制出高迁移率的选择掺杂AlGaAs/GaAs异质结,并对这种异质结的二维电子气物理性质进行了研究,观测到了它在4.2K下著名的Shubnikov-de-Hass振荡和量子化霍尔“平台”效应。
Institute of Semiconductors Institute of semiconductor using domestic molecular beam epitaxy (MBE) equipment, following the successful preparation of international high-purity N-type GaAs single crystal thin film, recently developed a high mobility of selected doped AlGaAs / GaAs heterojunction , And the physical properties of two-dimensional electron gas of this heterojunction have been studied. The “platform” effect of Shubnikov-de-Hass oscillation and quantum Hall well-known at 4.2K has been observed.
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