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为了研究氢离子束轰击Ｍｏ－Ｓｉ多层膜界面的情况，采用氢离子束（能量１５０ｅＶ）轰击Ｓｉ表面，即Ｓｉ与Ｍｏ之界面，再用Ｋｒ离子束溅射刻蚀，并用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，实验结果说明氢离子束对Ｓｉ表面轰击能有效防止界面混杂效应，进而说明这是制备软Ｘ射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。