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研究了ZnO薄膜中应力对发光的影响．实验样品为ZnO体单晶、在si基片上直接生长的ZnO薄膜以及通过SiC过渡层在Si基片上生长的ZnO薄膜＋测量了这三种样品的X射线衍射图形、喇曼光谱和光致发光光谱．由X射线衍射图形可以看出，由于SiC过渡层缓解了ZnO与Si之间的晶格失配，使得通过SiC过渡层在Si上生长的ZnO薄膜的结晶质量好于直接在Si上生长的ZnO薄膜的质量．进一步通过喇曼谱测量发现，与ZnO体单晶相比，直接在Si上生长的ZnO薄膜的E2（high）峰红移1．9cm^-1，根据喇曼谱峰位移与应力的