【摘 要】
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低压外延技术在生长电阻率和厚度均匀的薄外延层,抑制自掺杂,实现衬底—外延层界面杂质浓度分布陡峭,减少埋层图形畸变和漂移等方面表现出很大的优越性。我们已对 SiCl氢还
【机 构】
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低压外延技术在生长电阻率和厚度均匀的薄外延层,抑制自掺杂,实现衬底—外延层界面杂质浓度分布陡峭,减少埋层图形畸变和漂移等方面表现出很大的优越性。我们已对 SiCl氢还原低压硅外延进行过系统地研究。实验发现,在高频感应加热的臥式低压外延系统中,常压可顺利地生长出光亮的外延片。但在低压(<160乇)下,却极易生长出局部甚至整个表面都呈雾状的外延片。
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