【摘 要】
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采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论.
The structure of Ga_ (0.7) Al_ (0.3) A_3 / GaAs, Ga_ (0.26) In_ (0.74) As_ (0.6) P_4) grown by the horizontal liquid phase epitaxy method was measured by deep level transient spectroscopy (DLTS) (0.4) / InP wide contact and proton bombardment double-junction laser beam in the deep level, laser degradation caused by these deep levels of the preliminary study and discussion.
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