【摘 要】
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运用光刻技术和原子力显微技术(AFM)研究了亚硫酸根离子对硅和二氧化硅在40%(w)氟化铵水溶液中腐蚀速率的影响.结果表明硅和二氧化硅的腐蚀速率和亚硫酸根离子浓度有关.高分
【机 构】
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北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室,北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室
【基金项目】
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国家研究发展基金，国家自然科学基金
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运用光刻技术和原子力显微技术(AFM)研究了亚硫酸根离子对硅和二氧化硅在40%(w)氟化铵水溶液中腐蚀速率的影响.结果表明硅和二氧化硅的腐蚀速率和亚硫酸根离子浓度有关.高分辨X射线光电子能谱(XPS)分析在有/没有亚硫酸根的溶液中腐蚀后的硅和二氧化硅表面氟元素的结果表明在这两种溶液中腐蚀得到的表面化学成分是有差别的.实验结果证明亚硫酸根离子在硅和二氧化硅的湿腐蚀中不只是表现为一种除氧剂,还干预了表面腐蚀反应过程.
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