改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

• 作 者: 张苗 狄增峰 刘卫丽 骆苏华 宋志棠 朱剑豪 林成鲁
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年z1期
• 关键词: SiGe-on-insulator 氧化 扩散

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.