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本文提出了另一种新的对样品实行实间调制的微分反射光谱技术，文中给出了实验方法，讨论了调制机制，指出即使纯的体表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对ＧａＡｓ的实验结果说明了这一观点。
一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用
【摘 要】
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本文提出了另一种新的对样品实行实间调制的微分反射光谱技术，文中给出了实验方法，讨论了调制机制，指出即使纯的体表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对ＧａＡｓ的实验结
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年5期
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