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基于电化学脉冲腐蚀方法，用正交实验法给出了制备多孔硅微腔较为理想的制备参数：脉冲周期为5ms，占空比为5／10和上下各6个周期Bragg镜面层，得到了半峰宽为6nm的窄峰发射的多孔硅微腔．并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行了解释，认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中，不但要考虑到HF酸对硅的纵向腐蚀（电流腐蚀），也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向腐蚀（浸泡腐蚀）．