【摘 要】
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俄歇复合和载流子泄漏已作为InGaAsP激光器和LED_s的温度灵敏性高和内量子效率低的原因而被提出。本文发表了通过测量载流子寿命和自发辐射率而获得辐射和俄歇复合率以及泄
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俄歇复合和载流子泄漏已作为InGaAsP激光器和LED_s的温度灵敏性高和内量子效率低的原因而被提出。本文发表了通过测量载流子寿命和自发辐射率而获得辐射和俄歇复合率以及泄漏电流。发现俄歇复合率和泄漏电流强烈地依赖于掺杂程度。使用的器件是1.3μm InGaAsP双异质结激光器,其氧化物隔离接触条100μm,有源
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