【摘 要】
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本文对n~+-型(Hg,Cd)Te光电二极管的频率响应提出详细的理论分析,描述用行波调制器测试红外探测器频率响应的方法及其测试系统,给出不同工作状态下和不同杜瓦瓶结构的碲镉汞
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本文对n~+-型(Hg,Cd)Te光电二极管的频率响应提出详细的理论分析,描述用行波调制器测试红外探测器频率响应的方法及其测试系统,给出不同工作状态下和不同杜瓦瓶结构的碲镉汞探测器的高频特性。最后提出高频探测器的设计考虑。
This paper presents a detailed theoretical analysis of the frequency response of n ~ + - type (Hg, Cd) Te photodiode, describes the method of testing the frequency response of the infrared detector with a traveling wave modulator and its test system, High Frequency Characteristics of HgCdTe Detectors with Different Dewar Structure. Finally, the design considerations of high-frequency detectors are put forward.
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