ZrW2O8/E-51电子封装材料电学性能研究

• 作 者: 徐桂芳 徐伟 管艾荣 程晓农
• 机 构: 江苏大学材料学院
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 2007年12期
• 关键词: 电子技术 电子封装材料 环氧树脂 ZRW2O8 电学性能 electron technology electronic casting materials ep

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。结果表明：在相同含量下，ZrW2O8填料效果好；随ZrW2O8量的增加，介质损耗不断减小，ZrW2O8与E-51的质量比为0．7：1时，相对介电常数最大；在室温～163℃范围内，ZrW2O8／B-51的电阻率稳定在3．03×10^6Ω·m，电击穿场强均大于10kV／m。