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从载流子在MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发,提出了经典的和量子化的表面有效态密度(SLEDOS:Surface layer effective density-of-states)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架内的电荷分布模型。该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响,具有很高的计算效率和稳定性。在模型基础上,研究了量子化效应对反型