【摘 要】
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为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这
【机 构】
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北京师范大学物理系,北京师范大学物理系,北京师范大学物理系,北京师范大学物理系,北京师范大学物理系,山西省教育学院物理系,
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为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.
In order to obtain a blue luminescent material, we have studied the GaP-GaN solid solution. The GaP epitaxial wafers were ion implanted heavily doped with N to obtain crystals different from the GaP structure. X-ray diffraction patterns show that the injection of N ~ + GaP structure into a wurtzite lattice, which is just like the structure of GaN Photoluminescence measurements were made by rapid annealing, with bandgap luminescence both before and after annealing.
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