S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计

• 作 者: 姚小江 谢武涛 施鹤年 刘珊 胡永芳 赵亮
• 机 构: 南京电子技术研究所
• 出 处: 现代雷达
• 发表日期: 2011年8期
• 关键词: ALGAN/GAN HEMT器件 T/R组件 混合集成电路 高功率放大器 S波段 AlGaN/GaN HEMTs T/R module HMIC high
• 基金项目: 国家十一五重大专项支持研究项目

基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率（PAE）,整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20 W,附加效率（PAE）大于50%。