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作者对采用非质量分离离子柬注入沉积法（IBD）在Si（100）上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究，通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）以及原子力显微镜（AFM）分析表明：当退火温度在600℃和700℃．附近时有利于β-FeSi2的形成。
热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响
【摘 要】
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作者对采用非质量分离离子柬注入沉积法（IBD）在Si（100）上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究，通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）以及原子力显微镜（AFM）分析表明：当退火温度在600℃和700℃．附近
【机 构】
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贵州大学计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室,长沙理工大学物理与电子科学系,日本Saitama大学机能材料工学科
【出 处】
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贵州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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湖南省教育厅青年基金（038006）,湖南省自然科学基金（04JJ3030）,国家人事部留学归国人员择优资助项目（200403）,贵州省教育厅重点基金（05JJ002）,贵州大学人才引进基金资助项目（04RCJJ001）.
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