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本文对空间生长GaAs:Si单晶，沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究，X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明，在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高。
在微重力下生长的GaAs：Si单晶结构缺陷的X射线研究
【摘 要】
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本文对空间生长GaAs:Si单晶，沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究，X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明，在这个扇形区回摆曲线最窄
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年3期
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