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本文介绍了在电阻率为Ｄ（７７－３００）ｋΩ．ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄层的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究。
LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究
【摘 要】
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本文介绍了在电阻率为Ｄ（７７－３００）ｋΩ．ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄层的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究。
【机 构】
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北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年12期
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