【摘 要】
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前言随着科学技术和国民经济的发展,离子束技术已在各个领域获得越来越广泛的应用,离子束曝光就是其中一例。我们知道,在半导体制作技术中,提高电路的集成度是大规模集成电
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前言随着科学技术和国民经济的发展,离子束技术已在各个领域获得越来越广泛的应用,离子束曝光就是其中一例。我们知道,在半导体制作技术中,提高电路的集成度是大规模集成电路的一个主要发展趋势,因为随着集成度的提高,可增加器件的可靠性,改善其性能,并能
Preface With the development of science and technology and national economy, ion beam technology has been more and more widely used in various fields, and ion beam exposure is one of them. We know that in semiconductor fabrication techniques, increasing the level of integration in a circuit is a major development trend for large scale integrated circuits because as the level of integration increases, the reliability of the device increases and its performance can be improved
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