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施主掺杂的钛酸钡陶瓷的ＰＴＣＲ效应来源于晶界面上的钡空位在Ｂｉ２Ｏ３蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于８个量级的ＰＴＣＲ效应，在烧成过程中的Ｂｉ２Ｏ３蒸汽掺杂时，高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度，因而样品具有更高的ＰＴＣＲ效应。
Bi2O3蒸汽掺杂的Ba1—xSixTiO3半导化陶瓷的PTCR效应
【摘 要】
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施主掺杂的钛酸钡陶瓷的ＰＴＣＲ效应来源于晶界面上的钡空位在Ｂｉ２Ｏ３蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于８个量级的ＰＴＣＲ效应，在烧成过程中的Ｂｉ２Ｏ３蒸汽掺杂时，高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度，因而样品具
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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1998年6期
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