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采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡＩＮ薄膜。结果表明，５种基片均可生长（１００）面掺优取向的ＡＩＮ薄膜，并且具有良好的纵向组成均匀性，表面粗造度小，晶粒均匀致密。在金属电极和Ｓｉ片上沉积的ＡＩＮ薄膜结晶度、取向性、衍射强度差别较小，两者的结构均优于在盖玻片上的沉积的ＡＩＮ薄膜。