【摘 要】
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日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK—1(无损耗封装——倒装型)上表面散热型封装,作为新的功率MOSFET封装形式,它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性,通过使用上表面散热
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日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK—1(无损耗封装——倒装型)上表面散热型封装,作为新的功率MOSFET封装形式,它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性,通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品,现在正发布3种服务器DC—DC电源稳压器(VR)功率MOSFET:HAT2165N、HAT2166W和HAT2168N,从2004年7月在日本开始样品发货。
Renesas Technology Corp. today announced the development of the LFPAK-1 (lossless package-flip-chip) top-of-the-surface thermal package as a new power MOSFET package that greatly improves heat dissipation through the use of a top- The use of the top surface thermal structure increases the current capability. As an initial stage product, three types of server DC-DC power supply voltage regulator (VR) power MOSFETs are now being released: HAT2165N, HAT2166W and HAT2168N, starting sample shipments in Japan from July 2004.
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