【摘 要】
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美国《科学》报道:美国新墨西哥州桑迪亚国家实验室的研究人员为GaN沉积层发明了一种工艺,这种工艺在蓝宝石衬底上横越刻蚀沟槽,称之为悬臂外延,通过减少错位量可以改善发光
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美国《科学》报道:美国新墨西哥州桑迪亚国家实验室的研究人员为GaN沉积层发明了一种工艺,这种工艺在蓝宝石衬底上横越刻蚀沟槽,称之为悬臂外延,通过减少错位量可以改善发光二极管性能,该错位量与生长在乎面蓝宝石衬底上的材料属同一量级。研究人员在蓝宝石衬底中采用等离子体辅助刻蚀工艺产生支撑架和沟槽的模型。500
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