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等离子体化学气相淀积法(PCVD法)制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果.其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明：当锡在Fe2O3中的浓度低时，由于准自由电子补偿机制起作用，导电率升高；当锡与铁在过渡层中浓度接近时，杂质散射和晶界电阻增大，电导率急剧减小.
SnO2／Fe2O3复合膜界面电导率特性分析
【摘 要】
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等离子体化学气相淀积法(PCVD法)制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果.其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明：当锡在Fe2O3中的浓度低时，由于
【机 构】
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华中师范大学化学系
【出 处】
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华中师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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