嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

• 作 者: 敦少博 卢铁城 胡强 于晓林 胡又文 曾颖秋 张松宝 唐彬
• 机 构: 四川大学物理系·辐射国家物理及技术重点实验室,成都,610064四川大学物理系·辐射国家物理及技术重点实验室,成都,610064;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110015;四川大学物理系·辐射国
• 出 处: 四川大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2005年2期
• 关键词: Ge纳米晶 GeO纳米晶 离子注入 光致发光 X射线衍射

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.