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研究表面,用片状硼微晶玻璃扩散源在一定的条件下也能形成B-Sis相层,并且只有在预沉积时形成B-Si相层且去掉这一相层进行主扩,才能获得高均匀性硼掺杂。本文研究了不同的工艺条件对扩散均匀性的影响结果。
硼微晶玻璃源扩散均匀性的研究
【摘 要】
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研究表面,用片状硼微晶玻璃扩散源在一定的条件下也能形成B-Sis相层,并且只有在预沉积时形成B-Si相层且去掉这一相层进行主扩,才能获得高均匀性硼掺杂。本文研究了不同的工艺
【机 构】
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浙江大学电力电子技术研究所,浙江大学电力电子技术研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1991年2期
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