场助GaAs—玻璃键合工艺的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenyongze

【摘要】

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本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H<sub>2</sub>等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了

【作者】

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吕世骥黄庆安

【机构】

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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018,南京210018

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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1991年9期

【关键词】

：

GAAS 玻璃键合工艺氢等离子体

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H<sub>2</sub>等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度.

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