离子注入设备的物理极限

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本文阐述了离子注入设备用于半导体掺杂过程中各种注入参数的物理极限,并以LC—4型600KeV高能离子注入机为例来说明。 This paper describes the physical limitations of ion implantation equipment for various implantation parameters in semiconductor doping, and uses the LC-4 600KeV high energy ion implanter as an example.
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