【摘 要】
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本文介绍SiN_x为钝化膜的平面InGaAs光电二极管在高温老化过程中所观察到的一种新的失效机构,SiN_x是用等离子淀积形成的。失效是由于二极管的暗电流灾难性的增加引起的,这
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本文介绍SiN_x为钝化膜的平面InGaAs光电二极管在高温老化过程中所观察到的一种新的失效机构,SiN_x是用等离子淀积形成的。失效是由于二极管的暗电流灾难性的增加引起的,这种失效与SiN_x层保护下的半导体表面的电化学氧化有关。在85℃,相对温度为85%(r·h),10伏偏压下对光电二极管作老化试验,在就地不时地监视暗电流的变化情况。中位寿命比在85℃、65%r·h·低湿度老化条件下短,为
This article describes a new failure mechanism observed during high temperature aging of planar InGaAs photodiodes with SiN_x passivation films. SiN_x is formed by plasma deposition. Failure is caused by the catastrophic increase of diode dark current, which is related to the electrochemical oxidation of the semiconductor surface under the protection of SiN_x layer. The photodiode was aged at 85 ° C and a relative humidity of 85% (r · h) at a bias voltage of 10 volts to monitor dark current changes from time to time. The median life span is shorter at 85 ° C, 65% r · h · under low humidity aging conditions
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