硅多条探测器的研制

• 作 者: 谭继廉 靳根明 王宏伟 段利敏 袁小华 王小兵
• 机 构: 中国科学院近代物理研究所,北京大学微电子研究所
• 出 处: 核电子学与探测技术
• 发表日期: 2004年6期
• 关键词: 反向漏电流 微电子工艺 探测器 掺杂 偏压 宽度 描述 能量分辨 等分 Α粒子 Si multi-strip detector microelectronic

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值＜2nA.对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%～0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%～8%.