关于碲镉汞材料器件的几个技术问题

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1977年底在昆明举行了有关碲镉汞材料器件中若干主要技术问题的讨论会(会议消息见本刊1978年第2期)。会上讨论了碲镉汞晶体生长工艺和材料参数测试、器件工艺和测试中的一些问题。在广泛讨论的基础上,提出了今后应继续讨论的课题。兹将会上讨论比较集中的若干技术问题摘编如下。 At the end of 1977 a seminar was held in Kunming on some of the major technical issues in devices for HgCdTe materials (for the meeting information, see Issue 2, 1978). At the meeting, we discussed some problems in the growth process of HgCdTe crystals, material parameter testing, device technology and testing. On the basis of extensive discussions, the topic for further discussion should be proposed in the future. A few technical issues that will be discussed more concentrated at the meeting are summarized as follows.
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