【摘 要】
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一、工艺说明和光刻顺序 (1)光刻顺序 掩膜功用正反刻 1#有效区正刻 2#多晶硅反刻 3李接触孔正刻(铝对N+和多晶硅) 4#接触孔套刻正刻(铝对N和多晶硅) 5#铝反刻 6#压焊孔正刻
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一、工艺说明和光刻顺序 (1)光刻顺序 掩膜功用正反刻 1#有效区正刻 2#多晶硅反刻 3李接触孔正刻(铝对N+和多晶硅) 4#接触孔套刻正刻(铝对N和多晶硅) 5#铝反刻 6#压焊孔正刻 往:各次光刻一律用负性光刻胶对于等平面工艺再加一次掩膜(O#、场区、正刻)或将1#光刻改为正胶,对2次刻
First, the process instructions and lithography sequence (1) lithography sequence mask positive and negative 1 # effective area is engraved 2 # polysilicon anti-etching 3 Li contact hole is engraved (aluminum on the N + and polysilicon) 4 # contact hole set Positive engraved (aluminum on N and polysilicon) 5 # Aluminum anti-etching 6 # soldering holes are carved: all lithography with negative photoresist for the same plane process plus a mask (O #, field, Is engraved) or 1 # lithography is a positive plastic, on the 2nd engraved
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