GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究

• 作 者: 曾正清 李朝木 王宝林 李峰
• 机 构: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
• 出 处: 真空与低温
• 发表日期: 2010年2期
• 关键词: 负电子亲和势 GaN光电阴极激活 紫外敏感材料 新能带结构模型. negative electorn affinity activation of GaN ph
• 基金项目: 自主资助项目（556000829）

采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释。