解理面预处理方法对二次外延的影响

• 作 者: 张春玲 唐蕾 徐波 陈涌海 王占国
• 机 构: 南开大学物理科学学院,中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,武警医学院物理教研室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2008年3期
• 关键词: 分子束外延 量子线 表面结构 molecular beam epitaxy quantum wire surface structure

利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线．首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs／AlGaAs超晶格，然后将样品取出外延系统进行解理，对解理面进行预处理之后在（110）解理面上进行二次外延．实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响，其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长，过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构，表明（110）面上的Ga原子容易脱附．同时，Ga原子在（110）面上的迁移长度比较大，原子的择优扩散方向为[001^1]方向．