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依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,—n~v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论。对Ga注入Si单晶样品的测定证实了(n~v—n~v)排列的优越性,摇摆曲线上得到了未曾见过的细微振荡。
测定离子注入单晶损伤与应变的双晶（n^ ,—n^ ）排列方法
【摘 要】
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依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,—n~v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,RoyalMelbouruneInstituteofTechnology,Australia,CSIRO.DivisionofMaterialScienceandTechno
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1990年1期
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