【摘 要】
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本文讨论了VMOS场效应功率晶体管阈值电压的设计和工艺控制问题,同时介绍通过半导体工艺参数的统一调整有效控制阈值电压的方法.
This article discusses the design and pr
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本文讨论了VMOS场效应功率晶体管阈值电压的设计和工艺控制问题,同时介绍通过半导体工艺参数的统一调整有效控制阈值电压的方法.
This article discusses the design and process control of the threshold voltage of the VMOS field-effect power transistor. At the same time, it introduces the method of controlling the threshold voltage effectively through the uniform adjustment of semiconductor process parameters.
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