【摘 要】
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报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,
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报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处理 ,反射镜的反射率可以高达 99 9%以上 ,制作工艺简单 ,价格便宜 .并获得硅基峰值响应波长为 1 5 4 μm ,量子效率达 2 2 6 %的窄带响应 ,峰值半高宽为 2 7nm .本方法有望用于工业生产 .
A novel bonding technique using silicon latex as a bonding medium is reported.The SiO2 / Si reflector with high reflectivity is pre-grown on a silicon wafer by a PECVD system and then bonded to the InGaAs active region at a bonding temperature of 35 0 ℃, without special surface treatment, the reflectance of the reflector can be as high as 99 9%, the production process is simple and the price is low, and the peak response wavelength of silicon is 154 μm and the quantum efficiency reaches 226% Response, the peak full width at half maximum of 27nm. This method is expected to be used in industrial production.
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