【摘 要】
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日本荏原综合研究所和东北大学合作，最近开发成功线宽为０．０５μm的半导体蚀刻技术，预计３年后能够达到实用化水平。蚀刻是制造集成电路最重要的工序，一般采取用正离子照射半导体基板的
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日本荏原综合研究所和东北大学合作，最近开发成功线宽为０．０５μm的半导体蚀刻技术，预计３年后能够达到实用化水平。蚀刻是制造集成电路最重要的工序，一般采取用正离子照射半导体基板的方法，其缺点是由于负离子的吸引，正离子会出现轨道弯曲的现象，影响加工的精度，并且
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