【摘 要】
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建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型．该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布．基于该模型可以计算出高压RESURF LD
【基金项目】
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模拟集成电路国家重点实验室研究基金资助项目(批准:51439020103DZ0201)~~
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建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型．该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布．基于该模型可以计算出高压RESURF LDMOS的电学SOA．数值模拟和实验结果部分验证了模型的正确性．该模型有助于深入理解LDMOS开态击穿的物理过程，可用于指导高压LDMOS的设计．
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