具有改进安全工作区(SOA)的大面积IGCT

• 作 者: T.斯梯亚斯尼 P.斯特瑞特 M.吕斯切 M.弗里克 张斌
• 机 构: ABB公司半导体分部清华大学电力电子厂楞次堡CH-5600楞次堡CH-5600
• 出 处: 电力电子
• 发表日期: 2004年6期
• 关键词: 大面积IGCT 安全工作区 优化门极电路 改进局部安全工作区 补偿横向效应 Large area IGCT SOA optimized gate-circuit

本文介绍有关大面积IGT(集成门极换流晶闸管)改进安全工作区(SOA)的三个概念:优化门极电路;通过优化掺杂浓度分布和辐照来改进局部安全工作区;借助于辐照来补偿横向效应。局部SOA的优化同改进门极电路相结合,会使创记录的阻断SOA达到1MW/cm2的开关功率密度。所有三项措施结合起来,就可以使大面积IGCT安全工作区(SOA)的改进超过30%。