河南省若干半导体器件的DLTS研究

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本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对河南省部分厂家生产的若干半导体器件作了DLTS测量,测到了存在于Ge—APD中的两个深能级(E_c-0.26ev和E_c-0.35ev)。分析认为是Fe离子沾污所致,同时获得其俘获截面和浓度,其它器件(开关二级管除外)均未发现有深能级存在。
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