【摘 要】
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款低温漂高PSRR的带隙基准电压源。采用全新的曲率补偿电路架构,使输出基准电压源具有超低温漂系数。采用共源共栅电流镜带负反馈的结构,
【机 构】
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桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室,
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款低温漂高PSRR的带隙基准电压源。采用全新的曲率补偿电路架构,使输出基准电压源具有超低温漂系数。采用共源共栅电流镜带负反馈的结构,提高了核心电路的PSRR。利用Cadence Spectre EDA软件对电路进行设计和仿真,结果表明,在-40℃~100℃温度范围内,电路的温漂系数仅为1.8×10-6/℃,电压变化范围小于0.3mV,在1.85~5V的宽电压范围内均能正常工作,电源抑制比在低频时高达-111dB,在1kHz时也达到-98.07dB,功耗仅为23.7μW,非常适合于高性能系统集成应用。
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