混合隧道二级管可能超越摩尔定律

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半导体研究人员上世纪50年代就知道,隧道二级管的量子禁闭效应能提高电路速度和电流处理速度,同时能降低组件数和功耗。但是受工艺限制,长期以来隧道二级管只用于特殊材料和分立器件。现在一些研究人员称,采用新型 CMOS 兼容隧道二级管工艺,可以越过半导体开发计划中的下一个 Semiconductor researchers know in the 1950s that the quantum confinement effect of tunnel diodes increases circuit speed and current handling speed while reducing component count and power consumption. However, due to process limitations, tunneling diodes have long been used only for special materials and discrete devices. Some researchers now claim that using the new CMOS-compatible tunneling diode process can cross the next semiconductor development program
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