【摘 要】
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集成电路的几何尺寸越来越细,金属层越来越多,使传统的测试方法难以检查出潜在的工艺缺陷.幸运的是,一种方兴未艾器件静态电流I_(DDQ)的测试方法可以帮助设计人员发现这些缺
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集成电路的几何尺寸越来越细,金属层越来越多,使传统的测试方法难以检查出潜在的工艺缺陷.幸运的是,一种方兴未艾器件静态电流I_(DDQ)的测试方法可以帮助设计人员发现这些缺陷,还能够找出可能影响到长期可靠性的各种问题.虽然CMOS器件的I_(DDQ)测试难点尚未全部攻克,但这种测试方法当前正在运用,而且具有广阔的发展前景.当前正在开展的工作包括制定测试硬件
The geometry of integrated circuits is getting smaller and thinner with more and more metal layers, making it difficult to detect potential process defects with traditional test methods Fortunately, a quiescent device I_ (DDQ) test method can help design They found the flaws and were able to identify problems that could affect their long-term reliability.Although the I_ (DDQ) testing of CMOS devices has not yet been fully implemented, this test method is currently in use and has a promising future. Work currently under way includes the development of test hardware
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