【摘 要】
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提出了一种简洁的新型4H-SiC MESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重
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提出了一种简洁的新型4H-SiC MESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.
A new and simple 4H-SiC MESFET empirical large-signal model is proposed.On the basis of the Materka leakage current model, the modeling method of channel modulation factor and saturation voltage coefficient is improved, and the improved charge conservation model is adopted in the capacitance model. The Levenberg-Marquardt optimization method was adopted for the extraction and optimization of the model. The simulation results of model DC current-voltage sweep curve, output power, power added efficiency and gain at bias point VDS = 20V, IDS = 80mA and operating frequency 1.8GHz were compared with The experimental data are in good agreement.
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